Fachrezi, Andi Muh. Rachmat and Naza Abulkhair, Muh. Farid (2022) Perancangan Modul Komponen Elektronika Dasar. Diploma thesis, Politeknik Negeri Ujung Pandang.
PERANCANGAN MODUL KOMPONEN ...pdf - Published Version
Restricted to Registered users only
Download (7MB)
Abstract
Banyak penelitian yang dilakukan mengenai perancangan modul praktikum komponen elektronika. Penelitian yang dilakukan sebelumnya membahas mengenai pembuatan trainer pada laboratorium elektronika dan instrumentasi. Tujuan tugas akhir ini yaitu merancang dan membuat modul komponen elektronika dasar menggunakan komponen resistor, kapasitor, transistor, dan potensiometer. Metode yang akan digunakan dalam perancangan ini yaitu menggunakan Mesin Cetak 3 Dimensi (3D Printing) sebagai pencetak modul dengan bahan dari filament dan Resistor 3.3Ω hingga 100KΩ, Transistor BD 130, LDR sebagai komponen yang akan diujikan bersama dengan modul. Sehubungan dengan itu penelitian ini diawali dengan studi literatur, identifikasi masalah, perancangan sistem perangkat keras dan perancangan sistem perangkat lunak. Berdasarkan hasil perancangan, pengujian dan analisa hasil perancangan, didapatkan hasil pengujian komponen yang telah dipasangkan pada modul seperti resistor dengan toleransi ±1% – ±5% saat diukur dengan ohmmeter nilainya tidak melewati dari nilai toleransi yang telah ditentukan, pengujian transistor yang memiliki tiga karakteristik yaitu input, transfer dan output. Karakteristik input transistor dimana VBE dibandingkan dengan IB yang hasilnya berbanding lurus dengan nilai VBE 0.1 V – 0.7 V dan nilai IB 0 mA – 25 mA. Karakteristik transfer transistor dimana nilai IB 0.02 mA hingga 0.22 mA yang nilainya kadang tidak stabil dibandingkan dengan IC 16 mA hingga 215 mA yang hasilnya menunjukkan IC berbanding lurus dengan IB. Karakteristik output dimana hasil pengujian VCE dengan nilai 1 – 8V , nilai IC 0.55 mA – 1.75 mA , dan nilai IB 10,20, dan 30 mA. Kemudian pengujian transistor BD130 terhadap LDR dimana ketika VBE bernilai 0.705 V dan VCE bernilai 90.3 mV maka LDR terang sedangkan ketika VBE bernilai 176.2 mV dan VCE bernilai 9.11 V maka LDR gelap. Pengujian transistor dan LDR juga dilakukan pada transistor BCY56.
Item Type: | Thesis (Diploma) |
---|---|
Subjects: | T Technology > TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering |
Divisions: | Jurusan Teknik Elektro > D3 Teknik Elektronika |
Depositing User: | Unnamed user with username 197103102001121001 |
Date Deposited: | 26 Feb 2024 01:46 |
Last Modified: | 26 Feb 2024 01:46 |
URI: | https://repository.poliupg.ac.id/id/eprint/8528 |